| 电子束制作高分辨率波带片图形数据研究 |
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| 引用本文： | 王德强,康晓辉,谢常青,叶甜春. 电子束制作高分辨率波带片图形数据研究[J]. 微细加工技术, 2005, 0(2): 28-33 |
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| 作者姓名： | 王德强 康晓辉 谢常青 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,微细加工与纳米技术实验室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60236010，60290081，9027004) |
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| 摘 要： | 根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系，设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型。通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据，给出图形数据量和剖分单元数的变化关系曲线。根据扫描电子显微镜得到的实验结果，决定采用无间隙拼接处错开的模型。在使用负性抗蚀剂SAL601，电子束曝光剂量35μC，前烘温度75℃等条件下，制作出了最外环宽度为250nm的波带片。
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| 关 键 词： | 电子束 波带片 双曝光 临近效应 |
| 文章编号： | 1003-8213(2005)02-0028-03 |
| 修稿时间： | 2004-10-21 |
Study on Image Datum for High Resolution Zone Plates Fabricated by E-beam |
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| WANG De-qiang,KANG Xiao-hui,XIE Chang-qing,YE Tian-chun. Study on Image Datum for High Resolution Zone Plates Fabricated by E-beam[J]. Microfabrication Technology, 2005, 0(2): 28-33 |
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| Authors: | WANG De-qiang KANG Xiao-hui XIE Chang-qing YE Tian-chun |
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| Keywords: | E-beam zone plates double exposed proximity effect |
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