| 超高速ECL工艺中铝和硅—铝的反应离子刻蚀 |
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| 引用本文： | 赵伟.超高速ECL工艺中铝和硅—铝的反应离子刻蚀[J].微电子学,1991,21(4):32-35. |
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| 作者姓名： | 赵伟 |
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| 作者单位： | 机电部24研究所 |
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| 摘 要： | 随着超大规模集成电路的发展,对各种薄膜材料的刻蚀提出了越来越高的要求,湿法刻蚀已难以满足新器件的要求。我们在RIE系统中,针对超高速ECL工艺中铝和硅铝的刻蚀进行研究,通过实验给出了压力、功率密度、气体组分与流量以及衬底温度对刻蚀速率影响的关系曲线。实验证明,在条件优化的情况下,对Al和Al-Si刻蚀速率分别为0.3μm/min和0.2μm/min线条的精度控制可达3μm。最后根据实验结果给出最佳刻蚀工艺条件。
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| 关 键 词： | ECL工艺 集成电路 离子刻蚀 |
RIE of Al and Al-Si in Very High Speed ECL Technology |
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| Zhao Wei.RIE of Al and Al-Si in Very High Speed ECL Technology[J].Microelectronics,1991,21(4):32-35. |
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| Authors: | Zhao Wei |
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| Affiliation: | Sichuan Institute of Solid-State Circuits |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RIE ECL technology |
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