| 表面光电压法测量a—Si：H少子扩散长度的进一步研究 |
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| 引用本文： | 张治国 宿昌厚. 表面光电压法测量a—Si：H少子扩散长度的进一步研究[J]. 太阳能学报, 1993, 14(4): 348-356 |
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| 作者姓名： | 张治国 宿昌厚 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理系，北京工业大学电子工程系 呼和浩特 010022，北京 100022 |
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| 摘 要： | 建立用ＳＰＶ法测量ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜少子扩散长度Ｌｐ的新的数学模型，推导出可供具有有任意输入端口的锁相放大器所使用的测量Ｌｐ的数学表达式，为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析，并从实验技术上提出确定偏置光强度的选择准则，给出了测试结果；也分析了不同强度偏置光和不同金属与ａ－Ｓｉ：Ｈ肖特基结对测量结果的影响。
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| 关 键 词： | 表面光电压法 测量 非晶硅 |
THE FURTHER STUDY ON MEASURING DIFFUSION LENGTH OF MINORITY CARRIER IN a-SI.H WITH SPV METHOD |
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| Zhang Zhi-guo. THE FURTHER STUDY ON MEASURING DIFFUSION LENGTH OF MINORITY CARRIER IN a-SI.H WITH SPV METHOD[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 1993, 14(4): 348-356 |
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| Authors: | Zhang Zhi-guo |
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| Abstract: | An improved mathmatical model for measurement of minor carrier diffusion length LP in a-Si:H film by SPV method is presented. The mathmatical expressions suitable tor measuring LP by Lock-in amplifier with voltage and/or current input terminals are derived. Based on meticulous analysis and experimental results, a rule for determination of bias light intensity is put forward. The values of LP obtained for samples with Schottky structure Au (Ag. Pd) -a-Si:H are given. |
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| Keywords: | surface photovoltaic method measurement a-Si:H minor carrier |
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