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| 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究 | |
| 作者姓名： | 王志明 邓元明 封松林 吕振东 陈宗圭 王凤莲 徐仲英 郑厚植 高旻 韩培德 段晓峰 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院北京电子显微镜实验室 |
| 摘 要： | 本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾． |
| 关 键 词： | 量子点 自组织生长 多层垂直耦合 砷化铟 |
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