| 不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响 |
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| 引用本文： | 张娜玲,井红旗,袁庆贺,仲莉,刘素平,马骁宇.不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响[J].中国激光,2021(24):58-64. |
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| 作者姓名： | 张娜玲 井红旗 袁庆贺 仲莉 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
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| 基金项目： | 国家重点研发项目(2018YFB1107301)； |
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| 摘 要： | 为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延片表面上分别生长了一层200 nm厚的SiO2介质薄膜,然后在865～905℃温度范围内,进行了90 s的高温快速热退火处理。实验结果表明,低铝结构的波长蓝移量更大,且光致发光(Photoluminescence, PL)谱的强度下降更小,这说明在无杂质空位诱导量子阱混杂中,外延结构中的Al和Ga对点缺陷扩散的影响是不同的,Ga更有利于点缺陷的扩散。研究结果为无杂质空位诱导量子阱混杂的理论研究及器件的外延结构设计提供了参考。
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| 关 键 词： | 材料 高铝结构 低铝结构 无杂质空位诱导 量子阱混杂 波长蓝移 |
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