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| 采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器 | |
| 引用本文： | W.贝其托德,W.朱齐,行军.采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器[J].微纳电子技术,1972(3). |
| 作者姓名： | W.贝其托德 W.朱齐 行军 |
| 作者单位： | IBM苏黎世研究实验室(W.贝其托德，W.朱齐) |
| 摘 要： | 引言砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)比双极晶体管噪声低,增益高,适用于高至20千兆赫左右频率下的低噪声前置放大器。金属半导体场效应晶体管的特性金属半导体场效应晶体管由高阻衬底上的薄导电层构成。N 型导电层包括源和漏两个欧姆接触以及栅的整流接触。图1示出的砷化镓金属半导体场效应晶体管中,1×200微米的栅 |
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