| 氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型 |
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| 引用本文： | 郑惟彬, 李晨, 李辉, 陈堂胜, 任春江,.氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型[J].电子器件,2008,31(6). |
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| 作者姓名： | 郑惟彬 李晨 李辉 陈堂胜 任春江 |
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| 作者单位： | 1. 单片集成电路与模块国家重点试验室,南京,210016
2. 中国电子科技集团公司基础部,北京,100038 |
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| 摘 要： | 改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN).针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取.通过对栅宽分别为200μm和1000μtm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取.这将有助于场效应晶体管模型的研究.
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 FET模型 |
New Cold FET Model for GaN HEMT Devices |
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| ZHENG Wei-bin,LI Cheng,LI Hui,CHENG Tang-shen,REN Chun-jiang.New Cold FET Model for GaN HEMT Devices[J].Journal of Electron Devices,2008,31(6). |
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| Authors: | ZHENG Wei-bin LI Cheng LI Hui CHENG Tang-shen REN Chun-jiang |
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| Affiliation: | ZHENG Wei-bin1,LI Cheng2,LI Hui1,CHENG Tang-shen1,REN Chun-jiang11.National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits , Modules,Nangjing 210016 China,2.Fundamental Apartment of China Electronic Technology Group Corporation,Beijing 100038,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cold |
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