| 复合多晶硅栅LDMOS的特性研究 |
| |
| 引用本文： | 洪琪,陈军宁,柯导明,刘磊,高珊,刘琦. 复合多晶硅栅LDMOS的特性研究[J]. 半导体技术, 2008, 33(3): 227-230 |
| |
| 作者姓名： | 洪琪 陈军宁 柯导明 刘磊 高珊 刘琦 |
| |
| 作者单位： | 安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 安徽省教育厅自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法.此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的P 多晶硅;D-栅采用功函数较低的n 多晶硅.MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率.
|
| 关 键 词： | 复合栅 截止频率 功函数 横向扩散金属氧化物 栅源电容 栅漏电容 |
| 文章编号： | 1003-353X（2008）03-0227-04 |
| 收稿时间： | 2007-09-25 |
| 修稿时间： | 2007-09-25 |
Study on Characteristics of a Dual-Material Gate LDMOS |
| |
| Hong Qi,Chen Junning,Ke Daoming,Liu Lei,Gao Shan,Liu Qi. Study on Characteristics of a Dual-Material Gate LDMOS[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(3): 227-230 |
| |
| Authors: | Hong Qi Chen Junning Ke Daoming Liu Lei Gao Shan Liu Qi |
| |
| Affiliation: | Hong Qi,Chen Junning,Ke Daoming,Liu Lei,Gao Shan,Liu Qi (School of Electronic Science , Technology,Anhui University,Hefei 230039,China) |
| |
| Abstract: | A novel DMG-LDMOS(dual-material gate,LDMOS) structure for RF field was proposed accompanied by the concrete realization method in process.The gate of the DMG-LDMOS consists of S-gate(the first gate approaching source with high work-function material p+ poly) and D-gate(the second gate approaching drain with low work-function material n+ poly)using the effective concept gate engineering.The MEDICI simulations reveal that the DMG-LDMOS can increase the average velocity of electron in the channel,resulting in ... |
| |
| Keywords: | dual-material gate cut-off frequency(fT) work function LDMOS gate source capacitance(Cgs) gate drain capacitance(Cgd) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
