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| 不同状态CaAs表面上Au淀积研究 | |
| 作者姓名： | 王大文 钟战天 范越 牟善明 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系(王大文)，中国科学院半导体研究所国和家表面物理实验室(钟战天)，中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室(范越)，中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室(牟善明) |
| 摘 要： | 利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |