| 生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响 |
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| 引用本文： | 梅琴,韩平,王荣华,吴军,夏冬梅,葛瑞萍,赵红,谢自力,修向前,张荣,郑有炓.生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响[J].真空科学与技术学报,2008,28(Z1):52-55. |
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| 作者姓名： | 梅琴 韩平 王荣华 吴军 夏冬梅 葛瑞萍 赵红 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金
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教育部高等学校博士学科点专项科研基金
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国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGexC合金薄膜.本文通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGexC合金薄膜性质的影响.结果表明,Si1-xGexC外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大.
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| 关 键 词： | Si1-xGex:C合金薄膜 扩散 能量色散谱仪 化学气相淀积 生长参数 合金薄膜 元素分布 影响 Conditions Growth Films 互扩散 温度比 表面扩散 原子 加强 范围 结果 薄膜性质 长时间 生长温度 外延层 研究 分析 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)增刊-052-04 |
| 修稿时间： | 2007年8月25日 |
Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films |
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| Mei Qin,Han Ping,Wang Ronghua,Wu Jun,Xia Dongmei,Ge Ruiping,Zhao Hong,Xie Zili,Xiu Xiangqian,Zhang Rong,Zheng Youliao.Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(Z1):52-55. |
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| Authors: | Mei Qin Han Ping Wang Ronghua Wu Jun Xia Dongmei Ge Ruiping Zhao Hong Xie Zili Xiu Xiangqian Zhang Rong Zheng Youliao |
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