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| HgCdTe光导探测器的失效分析 | |
| 引用本文： | 邹子英,胡晓宁.HgCdTe光导探测器的失效分析[J].上海微电子技术和应用,1998(3):25-27,48. |
| 作者姓名： | 邹子英 胡晓宁 |
| 作者单位： | [1]上海市计量测试技术研究院 [2]中科院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。 |
| 关 键 词： | 失效分析 光导探测器 缺陷 工艺损伤 汞 镉 碲 |
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