| InP/GaAs材料和器件的直接键合 |
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| 引用本文： | 谢生,陈松岩,王水菊,何国荣,林爱清,陈朝.InP/GaAs材料和器件的直接键合[J].半导体光电,2004,25(6):426-429. |
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| 作者姓名： | 谢生 陈松岩 王水菊 何国荣 林爱清 陈朝 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,分析测试中心,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X-射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析.结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富集,而Ⅲ族元素具有较深的扩散.因此提出界面层以InGaAs、InGaP为主,这种界面化学态的变化对样品的Ⅰ-Ⅴ特性和键合强度都具有实质意义的影响,同时由于异质结带阶的存在,要获得良好的电学性质和强度,键合温度并不是越高越好,而是存在一个最佳温度.最后,在GaAs衬底上成功地键合了InGaAs/InP光电探测器.
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| 关 键 词： | 直接键合 X-射线光电子谱 Ⅰ-Ⅴ特性 键合强度 探测器 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)06-0426-04 |
| 修稿时间： | 2004年4月22日 |
Direct Wafer Bond of GaAs/InP Materials and Devices |
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| XIE Sheng,CHEN Song-yan,WANG Shui-ju,HE Guo-rong,LIN Ai-qing,CHEN Chao.Direct Wafer Bond of GaAs/InP Materials and Devices[J].Semiconductor Optoelectronics,2004,25(6):426-429. |
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| Authors: | XIE Sheng CHEN Song-yan WANG Shui-ju HE Guo-rong LIN Ai-qing CHEN Chao |
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| Affiliation: | XIE Sheng~1,CHEN Song-yan~1,WANG Shui-ju~2,HE Guo-rong~1,LIN Ai-qing~1,CHEN Chao~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | direct bonding XPS I-V characteristic bonding strength detector |
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