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| 结合雪崩和PIN特性的4H-SiC紫外光电探测器的模拟 | |
| 作者姓名： | 钟金祥 吴正云 洪荣墩 |
| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院物理系 |
| 摘 要： | 紫外波段的光探测器具有广阔的应用前景,本文结合传统的吸收-倍增-分离(SAM)和PIN结构,设计了一种新结构(APIN)的4H-Si C紫外光电探测器,模拟了其光电特性,并与传统的SAM和PIN结构的光电探测器进行了对比。结果表明其在雪崩状态下具有类似于SAM结构的雪崩光电探测器(APD)的特性,在低反向偏压下具有类似于PIN光电探测器的特性,为实际器件的制备提供参考。 |
| 关 键 词： | 4H-SiC 紫外光电探测器 SAM PIN |
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