| 银基锡氧化物增强电接触材料的界面结合因子分析 |
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| 引用本文： | 江珍雅,陈敬超.银基锡氧化物增强电接触材料的界面结合因子分析[J].云南冶金,2006,35(5):43-46,47. |
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| 作者姓名： | 江珍雅 陈敬超 |
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| 作者单位： | 稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室,昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明,650093 |
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| 摘 要： | 利用固体与分子经验电子理论EET和改进的TFD理论对银基锡氧化物增强电接触材料中存在的和可能存在的晶体结构进行价电子结构及部分晶面的电子密度计算，得到各异相界面结合因子，并且对可能存在的最佳界面结合方式进行预测，从而对常用的两种改善银基锡氧化物增强电接触材料的方法，即：第三相元素的添加和制备工艺的改善提出价电子结构方面的解释。
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| 关 键 词： | 电接触材料 界面结合因子 |
| 文章编号： | 1006-0308（2006）04-0043-05 |
| 收稿时间： | 10 8 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-10-08 |
Interface Conjunction Factor Analysis for Silver Based Reinforced Electron Contact Materials |
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| JIANG Zhen-ya,CHEN Jing-chao.Interface Conjunction Factor Analysis for Silver Based Reinforced Electron Contact Materials[J].Yunnan Metallurgy,2006,35(5):43-46,47. |
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| Authors: | JIANG Zhen-ya CHEN Jing-chao |
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| Affiliation: | Kunming University of Science and Technology, Kunming Yunnan 650093, China |
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| Abstract: | Calculations of interface factors can be made on the basis of empirical electron theory electron theory of solid and molecules(EET) and the improved Thomas-Fermi-Dirac(TFD) theory.The interface conjunction factors for two commonly used types of Ag matrix tin oxides are calculated so as to present explanations on the basis of valency electron structure for the addition of the third phase element and technological improvement. |
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| Keywords: | EET TFD |
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