| 硅基PIN光电探测器结构参数对其性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 王 巍,白晨旭,冯 其,武 逶,冯世娟,王 振.硅基PIN光电探测器结构参数对其性能的影响[J].半导体光电,2013,34(3):379-382. |
| |
| 作者姓名： | 王 巍 白晨旭 冯 其 武 逶 冯世娟 王 振 |
| |
| 作者单位： | 重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065 |
| |
| 摘 要： | 对硅基PIN光电探测器器件模型进行了理论分析,讨论了硅基PIN光电探测器的I-V特性与器件的i层厚度和整体宽度的变化关系,并进行了仿真分析。实验结果表明,随着i层厚度从5μm增加到70μm,器件的正向电流逐步减小,且i层厚度与其正向电流成反比;随着器件宽度从50μm增加到90μm,器件的正向电流逐步增大,且器件宽度与其正向电流成正比;引入保护环结构可以明显降低器件的暗电流。对PIN器件的结构参数进行了优化设计,结果表明在所设置的器件工艺条件下,当器件的i层厚度为50μm、整体宽度为70μm时,器件的性能最佳。
|
| 关 键 词： | 硅基PIN 光电探测器 器件结构参数 I-V特性 |
| 收稿时间： | 2012/10/8 0:00:00 |
Influence of Structure Parameters on Performance of Silicon PIN Photodetector |
| |
| WANG Wei,BAI ChenXu,FENG Qi,WU Wei,FENG Shijuan,WANG Zhen.Influence of Structure Parameters on Performance of Silicon PIN Photodetector[J].Semiconductor Optoelectronics,2013,34(3):379-382. |
| |
| Authors: | WANG Wei BAI ChenXu FENG Qi WU Wei FENG Shijuan WANG Zhen |
| |
| Affiliation: | College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN;College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN;College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN;College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN;College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN;College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon PIN photodetector structural parameters I-V characteristics |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
