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| MOS控制晶闸管（MCT）的设计 | |
| 引用本文： | 冯玉春,刘玉书.MOS控制晶闸管（MCT）的设计[J].电力电子技术,1994,28(1):55-57. |
| 作者姓名： | 冯玉春 刘玉书 |
| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所 (冯玉春)，临潼七七一所(刘玉书) |
| 摘 要： | 讨论了ＭＣＴ的结构设计及耐压设计。通过对结构参数的最佳化选择，制造出开关电流９Ａ，耐压９００Ｖ的ＭＣＴ芯片。ｎ沟ＭＯＳ阈值电压为２Ｖ，ｐ沟ＭＯＳ阈值电压为－５Ｖ。当门极加－７Ｖ电压时，其关断电流密度为２２０Ａ／ｃｍ＾２。 |
| 关 键 词： | MOS控制 晶闸管 设计 |
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