一种15ns的1兆位CMOS SRAM |
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引用本文: | KatsuroS,李祥.一种15ns的1兆位CMOS SRAM[J].微电子技术,1995,23(6):24-31. |
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作者姓名: | KatsuroS 李祥 |
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摘 要: | 我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器,它的制造是采用0.8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小:5.2μm×8.5μm,芯片尺寸为6.15mm×15.21mm。通过采用新的电路技术,得到了15ns的快速存取时间。该技术为。一个PMOS负载译码器,一个三级动态增益控制读出放大器,并结合补偿技术及反馈电容技术。电路的动态电流较低,在20MHz时为50mA,静态电流也低,对TTL为15mA,而CMOS则为2μA。
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关 键 词: | CMOS SRAM 静态存贮器 1兆位 |
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