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| 掺硼金刚石薄膜热敏电阻器性能 | |
| 引用本文： | 贾宇明,杨邦朝.掺硼金刚石薄膜热敏电阻器性能[J].电子学报,1998,26(5):122-124. |
| 作者姓名： | 贾宇明 杨邦朝 |
| 作者单位： | 电子科技大学信息材料工程学院,成都,610054 |
| 摘 要： | 用微波等离子体ＣＶＤ方法制作了掺硼金刚石薄膜热敏电阻器。该器件的结构由Ｓｉ３Ｎ４基底和２μｍ厚的掺硼金刚石薄膜组成，并采用了经退火处理的钛／金双金属层制作欧姆接触，结果在室温到６００℃范围内获得了欧姆接触，温度响应以及电阻温度系数优良的热敏电阻器。 |
| 关 键 词： | 掺硼金刚石薄膜 Si3N4基底 热敏电阻器性能 欧姆接触 温度响应 |
Characteristics of the Thermistor Made of B-doped Diamond Films |
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| Jia Yuming, Yang Bangchao.Characteristics of the Thermistor Made of B-doped Diamond Films[J].Acta Electronica Sinica,1998,26(5):122-124. | |
| Authors: | Jia Yuming Yang Bangchao |
| Abstract: | |
| Keywords: | B-doped diamond films Si_3N_4 substrate Characteristics of thermistor Ohmic contact Temperature response |
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