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基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展
引用本文:乐阳,孙艳,陈鑫,戴宁.基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展[J].红外,2010,31(2):8-13.
作者姓名:乐阳  孙艳  陈鑫  戴宁
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
基金项目:上海市科委基金,上海市纳米专项基金 
摘    要:作为发光可覆盖整个可见光波段的发光材料,Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点自上世纪90年代以来一直是构筑白光发光二极管(LED)的关键材料之一。本文主要介绍基于缺陷态发光、单源二色互补发光、三基色复合发光和光致发光等发光原理的半导体量子点的白光LED,并比较了不同类型器件的特点。凭借发光效率等主要性能参数的优势,基于GaN基蓝紫光与量子点荧光粉组合得到的白光LED将最有可能首先实现商业化应用。而在高清显示技术方面,结合微接触印刷技术的三基色复合白光LED具有潜在应用价值。最后简要介绍在提高白光LED发光效率方面的进展。

关 键 词:硒化镉  半导体量子点  核壳纳米结构  白光LED
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