| 一种抗辐射加固型低压差线性稳压器的研制 |
| |
| 引用本文： | 姚和平,杨力宏,刘 智,时应璇,赵光炜. 一种抗辐射加固型低压差线性稳压器的研制[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(1): 134-138 |
| |
| 作者姓名： | 姚和平 杨力宏 刘 智 时应璇 赵光炜 |
| |
| 作者单位： | Integrated Circuit Design Department，Xi’an Institute of Microelectronics Technology，Xi’an Shaanxi 710065，China,Integrated Circuit Design Department，Xi’an Institute of Microelectronics Technology，Xi’an Shaanxi 710065，China,Integrated Circuit Design Department，Xi’an Institute of Microelectronics Technology，Xi’an Shaanxi 710065，China,Integrated Circuit Design Department，Xi’an Institute of Microelectronics Technology，Xi’an Shaanxi 710065，China and Integrated Circuit Design Department，Xi’an Institute of Microelectronics Technology，Xi’an Shaanxi 710065，China |
| |
| 基金项目： | 装备预先研究资助项目(51311050301) |
| |
| 摘 要： | 介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计，内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6 ?m BiCMOS工艺制造，测试验证结果表明，产品在满足使用要求的同时，具备抗电离总剂量3×103 Gy(Si)、抗中子注量0.6×1014 n?cm-2的性能，适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。
|
| 关 键 词： | 低压差线性稳压器；总剂量辐射；中子辐射 |
| 收稿时间： | 2015-07-02 |
| 修稿时间： | 2015-12-18 |
Design of a radiation hardening Low Dropout Regulator |
| |
| YAO Heping,YANG Lihong,LIU Zhi,SHI Yingxuan and ZHAO Guangwei. Design of a radiation hardening Low Dropout Regulator[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2017, 15(1): 134-138 |
| |
| Authors: | YAO Heping YANG Lihong LIU Zhi SHI Yingxuan ZHAO Guangwei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》下载免费的PDF全文 |
