摘 要: | 采用化学浴沉积法,以硫酸铜和硫代乙酰胺为前体、乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)为铜离子络合剂,控制Cu和S元素的摩尔比为1∶2,在80℃下反应4h,于柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上成功制备了Cu S透明导电薄膜。利用紫外可见分光光度计(UV-Vis)、X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM/EDS)、四探针测试仪以及薄膜导电性弯曲测试装置对Cu S透明导电薄膜进行了表征研究。结果表明,制备的导电薄膜由均匀致密六方型的Cu S纳米片组成,具有良好的导电性和透光率,且可根据不同的应用要求,通过改变反应条件方便地进行调控。Cu S透明导电薄膜的最低方块电阻值仅为20?/。经过250次大尺度弯曲实验,Cu S透明导电薄膜依然保持理想的导电能力。
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