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分类号
杂志ISSN号
接口电路LN4993失效机理分析
作者姓名:
樊晓团
作者单位:
航天工业总公司半导体器件失效分析中心!临潼710600
摘 要:
通过对接口电路LN4993几次现场失效及厂家筛选中失效电路的分析,并做了ESD试验模拟试验,总结出LN4993几种失效模式,探讨其失效机理,发现这种MNOS电路ESD损伤阈值为1500V,电路失效多数是过电应力或静电损伤造成。
关 键 词:
接口电路 LN4993 失效机理
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