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| 低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 | |
| 作者姓名： | 徐遵图 徐俊英 杨国文 张敬明 陈昌华 何晓曦 陈良惠 沈光地 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％． |
| 关 键 词： | 量子阱激光器 分子束外延 低阈值电流密度 |
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