| 一种新结构IGBT——内透明集电区IGBT |
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| 引用本文： | 李震,胡冬青,亢宝位.一种新结构IGBT——内透明集电区IGBT[J].电力电子,2007,5(2):36-38,35. |
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| 作者姓名： | 李震 胡冬青 亢宝位 |
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| 作者单位： | 北京工业大学功率半导体器件与功率IC研究室，北京工业大学功率半导体器件与功率IC研究室，北京工业大学功率半导体器件与功率IC研究室 |
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| 基金项目： | 本研究获得国家自然科学基金资助,批准号60676049 |
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| 摘 要： | 本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”（ITC-IGBT）进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层，同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明，无论是穿通型结构（有缓冲层）还是非穿通型结构（无缓冲层）的ITC—IGBT，在器件工作电流范围内都具有饱和电压正温度系数，解决了现有的用外延片制造的PT—IGBT所难以克服的饱和电压负温度系数的缺点，有利于IGBT的并联使用。对于1200V以下的IGBT，该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造良好温度性能器件的途径。
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| 关 键 词： | IGBT PT-IGBT NPT-IGBT |
A New Structure of IGBT |
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