首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

走带速率对Y2O3隔离层生长的影响
引用本文:张华,金薇,刘慧舟,冯校亮,杨坚.走带速率对Y2O3隔离层生长的影响[J].稀有金属,2009,33(1).
作者姓名:张华  金薇  刘慧舟  冯校亮  杨坚
作者单位:北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上连续制备了 Y2O3隔离层.用X射线θ~2θ扫描, φ扫描对薄膜的取向和织构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的表面形貌进行观察.主要研究了走带速率对隔离层外延生长及表面形貌的影响.实验表明:随着走带速率的增大,Y2O3的平面内φ扫描半高宽(FWHM)增大,(400)峰的相对强度减小,晶粒更加细小;同时,制备的三层Y2O3隔离层,其面内φ扫描半高宽取决于第一层的半高宽;最终在三层Y2O3隔离层上沉积了有良好外延取向的YBCO超导层,其FWHM为8.0°.

关 键 词:走带速率  Y2O3隔离层  反应溅射  表面形貌

Influence of Moving Speed on Epitaxial Growth of Y2O3 Buffer Layer
Zhang Hua,Jin Wei,Liu Huizhou,Feng Xiaoliang,Yang Jian.Influence of Moving Speed on Epitaxial Growth of Y2O3 Buffer Layer[J].Chinese Journal of Rare Metals,2009,33(1).
Authors:Zhang Hua  Jin Wei  Liu Huizhou  Feng Xiaoliang  Yang Jian
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号