P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化 |
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作者姓名: | 王立军 张青月 |
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作者单位: | 中国科学院长春物理所(王立军),吉林大学电子科学系(张青月) |
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摘 要: | 本文报道用 Nd-YAG脉冲激光辐照代替热合金化制备了性能良好的 P-InP/AuSb +AuZn + Au欧姆接触.利用激光合金所获得的接触电阻率8.6× 10~(-5)~Ω·cm~2优于另一部分样品热合金化的值1.6 ×10~(-4)Ω·cm~2.其表面形貌也比热合金化的好,俄歇电子能谱分析发现在界面附近明显形成了Zn的分布峰,使电子隧穿势垒的几率增大.
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