| 有机胶体掺杂剂的激光辐照半导体掺杂 |
| |
| 引用本文： | 杜元成,孙迭箎,赵衍盛,李富铭. 有机胶体掺杂剂的激光辐照半导体掺杂[J]. 中国激光, 1982, 9(5): 79 |
| |
| 作者姓名： | 杜元成 孙迭箎 赵衍盛 李富铭 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学物理系(杜元成，孙迭箎，赵衍盛)，复旦大学物理系(李富铭) |
| |
| 摘 要： | 激光技术应用于半导体研究近年来一直引起了人们的重视,如离子注入杂质后的激光退火、外延层的生成等。我们研究了一个与以前不同的方法,在硅单晶表面直接涂一层有机胶体掺杂剂,然后用一个高功率红宝石脉冲激光直接辐照,形成一个浓度很高的掺杂层。 我们用一个<111>P型硅单晶片作为基板,其电阻率为10欧姆·厘米,经清洁处理后,表面涂上一层含有磷的有机胶体掺杂剂,然后用一台TEM_(oo)模、脉冲宽度20毫微米、输出能量约400毫焦耳的调Q红宝石激光器进行辐照,在硅单晶片上的光斑直径为0.5厘米,分别进行了单次和多次辐照,辐照后的硅单晶片,用HF进行腐蚀,测量了生成P-N结的伏安、反向特性和光电效应。生成的二极管具有良好的特性。同时我们在同类的硅单晶片上,用MASK
|
Semiconductor doping of organic colloidal dopants by laser irradiation |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
