| MOCVD生长双波长发光二极管 |
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| 作者姓名： | 韩军 崔明 李建军 邓军 邢艳辉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124;北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124;北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124;北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124;北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61204011)和北京市自然科学基金(4112006)资助项目 (北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124) |
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| 摘 要： | 根据白光照明和可变换波长的光通信中对单芯片双波长发光二极管(LED)要求,在分析了反向偏置隧道结性质的基础上,设计了用反向偏置隧道结连接两个有源区的单芯片双波长LED,用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)在GaAs衬底上一次外延生长了同时发射两种波长的LED,其包含一个AlGaInP量子阱有源区和一个GaInP量子阱有源区,两个有源区由隧道结连接;通过后工艺制备了双波长LED器件,在20mA电流注入下,可以同时发射626nm和639nm两种波长,光强是127mcd,正向电压是4.17V。与传统的单有源区LED进行对比表明,双波长LED有较强的光强;对比单有源区LED的2.08V正向电压,考虑到双波长LED包含隧道结和两个有源区,隧道结上的压降很小。
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| 关 键 词： | 发光二极管(LED) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 双波长 隧道结 |
| 收稿时间： | 2013-10-18 |
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