| 用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究 |
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| 引用本文： | 张正元,徐世六,刘玉奎,杨国渝,税国华. 用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究[J]. 微电子学, 2004, 34(5): 519-521 |
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| 作者姓名： | 张正元 徐世六 刘玉奎 杨国渝 税国华 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家重点实验室;中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 国家"863"计划"MEMS重大专项B类项目"(2003AA404-02)资助。 |
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| 摘 要： | 针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。
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| 关 键 词： | 湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 MEMS 微机械结构 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)05-0519-03 |
An Investigation into Wet Etching of Si-Trench for MEMS |
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| ZHANG Zheng-yuan,XU Shi-liu,LIU Yu-kui,YANG Guo-Yu,SHUI Guo-hua. An Investigation into Wet Etching of Si-Trench for MEMS[J]. Microelectronics, 2004, 34(5): 519-521 |
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| Authors: | ZHANG Zheng-yuan XU Shi-liu LIU Yu-kui YANG Guo-Yu SHUI Guo-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Wet etching Trench etching Masking MEMS Micromechanic structure |
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