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| N∶ZnO薄膜的受主性质研究 | |
| 作者姓名： | 黄世震 翁坤 |
| 作者单位： | 福州大学福建省微电子集成电路重点实验室 |
| 摘 要： | 使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8～200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255～0.31eV范围内。研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据。 |
| 关 键 词： | N∶ZnO薄膜 掺杂 溶胶-凝胶法 受主 电离能 |
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