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超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究
引用本文:张金娅,陈迪,朱军,李建华,方华斌,杨斌. 超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究[J]. 功能材料与器件学报, 2005, 11(2): 251-254
作者姓名:张金娅  陈迪  朱军  李建华  方华斌  杨斌
作者单位:薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030;薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030;薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030;薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030;薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030;薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030
基金项目:国家863高技术研究发展计划(2002AA404150)
摘    要:采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开裂和倒塌等问题;优化了SU-8胶工艺,从而获得了最大深宽比为27:1的微结构。

关 键 词:UV-LIGA技术  SU-8胶  高深宽比微结构
文章编号:1007-4252(2005)02-0251-04
修稿时间:2004-07-21

Process study of high - aspect - ratio ultrathick SU - 8 microstructure
ZHANG Jin-ya,CHEN Di,ZHU Jun,LI Jian-hua,FANG Hua-bin,YANG Bin. Process study of high - aspect - ratio ultrathick SU - 8 microstructure[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2005, 11(2): 251-254
Authors:ZHANG Jin-ya  CHEN Di  ZHU Jun  LI Jian-hua  FANG Hua-bin  YANG Bin
Abstract:Various high aspect ratio microstructures were prepared on the basis of UV-LIGA technique by using a new type of SU-8 photoresist. The influences of heat treatment and exposure on high aspect ratio microstructures are mainly discussed. The cracking and collapse of microstructures are favorably solved. Based on a series of contrast experiments, the SU-8 process is optimized and the highest aspect ratio of microstructures with 27:1 is successfully obtained.
Keywords:UV-LIGA  high aspect ratio  SU-8 photoresist  
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