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Zn-40Al合金中微观缺陷和3d电子的正电子湮没
引用本文:陈雪星,郭秋娥,韩艳玲,黄宇阳,邓文. Zn-40Al合金中微观缺陷和3d电子的正电子湮没[J]. 中国有色金属学报, 2009, 19(9)
作者姓名:陈雪星  郭秋娥  韩艳玲  黄宇阳  邓文
作者单位:1. 玉林师范学院,物理与信息科学系,玉林,537000
2. 广西大学,物理科学与工程技术学院,南宁,530004
3. 广西大学,物理科学与工程技术学院,南宁,530004;中国科学院,国际材料物理中心,沈阳,110016
基金项目:国家自然科学基金资助项目,广西自然科学基金资助项目 
摘    要:测量Zn单晶、Al单晶、铸态Zn60Al40合金以及冷轧Zn、Al、Zn60Al40的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱.结果表明,单晶Zn和铸态Zn60Al40合金的商谱在约17.4×10-3 m0c处出现一个峰,主要是正电子与Zn中3d电子湮没的作用;当Zn原子和Al原子形成Zn60Al40合金时,Zn原子和Al原子间主要以金属键结合;轧制Al的商谱明显低于单晶Al的商谱,冷轧Zn60Al40合金商谱略低于铸态Zn60Al40合金商谱;而单晶Zn和轧制Zn的商谱几乎重叠;Al、Zn金属和Zn60Al40合金经冷轧后,由于样品中产生了缺陷,而导致正电子平均寿命增加,轧制Al的增幅最大,轧制Zn60Al40合金的增幅次之,而轧制Zn的增幅最小.

关 键 词:Zn60Al40合金  3d电子  微观缺陷  正电子湮没

Positron annihilation of microdefects and 3d electrons in Zn-40Al alloy
CHEN Xue-xing,GUO Qiu-e,HAN Yan-ling,HUANG Yu-yang,DENG Wen. Positron annihilation of microdefects and 3d electrons in Zn-40Al alloy[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2009, 19(9)
Authors:CHEN Xue-xing  GUO Qiu-e  HAN Yan-ling  HUANG Yu-yang  DENG Wen
Abstract:
Keywords:
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