| 多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响 |
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| 引用本文： | 刘晓为,郭青,等.多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响[J].哈尔滨工业大学学报,1993,25(1):32-37. |
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| 作者姓名： | 刘晓为 郭青 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学微电子技术教研室，哈尔滨工业大学控制工程系，哈尔滨工业大学控制工程系，哈尔滨工业大学控制工程系，哈尔滨工业大学控制工程系 副教授 |
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| 摘 要： | 本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响，通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜，经硼离子注入掺杂，杂质浓度均为10∧25/m∧3用X射线衍射法在分析了薄膜晶体结构，悬梁实验测出薄膜应变系数GF随淀积温度和膜厚的变化，理论分析表明，GF不仅随晶粒度单调增加，而且与织构情况密切相关，不同织构压阻效应大小不同，<100>结构对薄膜压阻效应影响很大，理论结果较好地解释了薄膜GF与淀积温度和膜厚的实验曲线。
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| 关 键 词： | 多晶硅 压阻效应 薄膜 晶体结构 |
The Influence of Polysilicon Thin Film Crystal Structure Upon the Film Piezoresistive Effect |
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| Liu Xiaowei Guo Qing Li Feng Zhang Guowei Liu Zhenmao.The Influence of Polysilicon Thin Film Crystal Structure Upon the Film Piezoresistive Effect[J].Journal of Harbin Institute of Technology,1993,25(1):32-37. |
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| Authors: | Liu Xiaowei Guo Qing Li Feng Zhang Guowei Liu Zhenmao |
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| Affiliation: | Liu Xiaowei Guo Qing Li Feng Zhang Guowei Liu Zhenmao |
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| Keywords: | Polysilicon piezoresistive effect Gauge Factor(GF) |
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