| 吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响 |
| |
| 引用本文： | 杜正伟,龚克,孟凡宝,杨周炳. 吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响[J]. 电子学报, 2000, 28(5): 125-126 |
| |
| 作者姓名： | 杜正伟 龚克 孟凡宝 杨周炳 |
| |
| 作者单位： | 1. 清华大学微波与数字通信国家重点实验室,北京 100084;2. 中国工程物理研究院应用电子学研究所,成都527信箱,成都 610003 |
| |
| 基金项目： | 中国博士后科学基金资助课题，中国工程物理研究院应用电子学研究所资助课题 |
| |
| 摘 要： | 本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式.结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间,在计算中应该加以考虑.
|
| 关 键 词： | 砷化镓高功率高速光导开关 吸收边漂移 延迟时间 吸收系数 吸收因子 |
| 收稿时间： | 1998-11-26 |
Influences of Absorption Fraction to Delay Time in GaAs High-power High-speed Photoconductive Switches |
| |
| DU Zheng-wei,GONG Ke,MENG Fan-bao,YANG Zhou-bing. Influences of Absorption Fraction to Delay Time in GaAs High-power High-speed Photoconductive Switches[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(5): 125-126 |
| |
| Authors: | DU Zheng-wei GONG Ke MENG Fan-bao YANG Zhou-bing |
| |
| Affiliation: | 1. State Key Lab on Microwave and Digital Communications,Tsinghua University,Beijing 100084,China;2. Institute of Applied Electronics,CAEP,P.O.Box 527,Chengdu 610003,China |
| |
| Abstract: | The delay time gallium arsenide (GaAs) high power high speed photoconductive switches is studied on the basis of electroabsorption caused by absorption edge shifting due to bandgap narrowing.A simple formulation for the influences of the initial open state field,the laser wavelength and the temperature is given.The results show that the absorption fraction of the semiconductor slab of the switch increases the delay time of switches and should be considered in the calculation. |
| |
| Keywords: | GaAs high power high speed photoconductive switch absorption edge shifting delay time absorption coefficient absorption fraction |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子学报》下载免费的PDF全文 |
