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| 高电流截止频率GaInP／GaAs HBT | |
| 作者姓名： | 焦智贤 蔡克理 |
| 摘 要： | 本文简要介绍了ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的发展现状，用湿法工艺制作了自对准ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，其电流截止频率高达５０ＧＨＺ，性能优于我们在同等工艺条件下制作的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＰ。 |
| 关 键 词： | 异质结 双极晶体管 镓铟磷 砷化镓 截止频率 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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