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BESⅢ飞行时间电子学电荷测量电路的温度补偿
作者姓名:封常青  刘树彬  王进红  安琪
作者单位:中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026
基金项目:国家大科学工程北京正负电子对撞机升级项目(BEPC Ⅱ-UDDETF-309-HT182/2004)资助、国家自然科学基金资助 
摘    要:介绍了一种利用补偿二极管实现的,针对非门控积分电路的温度补偿方法,它已成功地应用于BESⅢ飞行时间电子学的电荷测量电路中.经测试,采用该补偿方案后,对于30℃-50℃范围内的温度变化,和200mV到5000mV的输入信号动态范围,电荷测量电路的温度系数约0.6mV/℃,远好于补偿前的性能,且满足BESⅢ工程设计指标.

关 键 词:BESⅢ TOF  电荷测量  温度补偿
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