| SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合 |
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| 引用本文： | 黄晓东,黄德修,刘雪峰. SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合[J]. 半导体学报, 2000, 21(11): 1107-1110 |
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| 作者姓名： | 黄晓东 黄德修 刘雪峰 |
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| 作者单位： | 华中理工大学光电子工程系,武汉 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;69586002; |
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| 摘 要： | 对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .
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| 关 键 词： | 超晶格材料 无杂质空位扩散 InGaAsP 量子阱混合 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)11-1107-04 |
| 修稿时间： | 1999-10-27 |
SiO2 Encapsulant Enhanced Quantum Well Intermixing for InGaAsP Superlattice |
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| HUANG Xiao-dong,HUANG De-xiu,LIU Xue-feng. SiO2 Encapsulant Enhanced Quantum Well Intermixing for InGaAsP Superlattice[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(11): 1107-1110 |
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| Authors: | HUANG Xiao-dong HUANG De-xiu LIU Xue-feng |
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| Abstract: | Impurity Free Vacancy Diffusion (IFVD) technology on InGaAsP superlattice, which latticematches InP, is investigated experimentally, with SiO-2 deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition and rapid thermal annealing proceeded with iodine tungsten lamp. Up to 50nm blue shift of photoluminescence spectrum is observed, which shows IFVD has a capacity to treat QWs even without any impurities or strain. Factors are also discussed, that will affect the repetition of IFVD. |
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| Keywords: | superlattice material impurity free vacancy diffusion InGaAsP quantum wells intermixing |
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