首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

SiCf/Ti-6Al-4V基复合材料界面晶格常数变化的CBED研究
引用本文:黄斌,苏越,范文斌,杨延清,罗贤. SiCf/Ti-6Al-4V基复合材料界面晶格常数变化的CBED研究[J]. 电子显微学报, 2012, 31(5): 416-419
作者姓名:黄斌  苏越  范文斌  杨延清  罗贤
作者单位:西北工业大学材料学院,陕西西安,710072
基金项目:西北工业大学基础研究基金(No.JC201110及No.JC20100210)
摘    要:本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化.结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢.有C涂层SiC纤维制成的复合材料中晶格常数变化比无C涂层复合材料晶格常数变化小.相比制备态复合材料,热暴露无C涂层SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面处,晶格常数变化较为缓和.

关 键 词:复合材料  界面  晶格参数  会聚束电子衍射(CBED)  高阶劳埃(HOLZ)线

Study on the changes of lattice parameters at interface in SiC_f/Ti-6Al-4V composite
HUANG Bin , SU Yue , FAN Wen-bin , YANG Yan-qing , LUO Xian. Study on the changes of lattice parameters at interface in SiC_f/Ti-6Al-4V composite[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2012, 31(5): 416-419
Authors:HUANG Bin    SU Yue    FAN Wen-bin    YANG Yan-qing    LUO Xian
Affiliation:(College of Material Science,Northwestern Polytechnical University,Xi’an Shaanxi 710072,China)
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号