| 集成电路中的MOSFET栅控电阻 |
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| 引用本文： | 张屏英,章定康.集成电路中的MOSFET栅控电阻[J].微电子学与计算机,1993(4):36-38. |
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| 作者姓名： | 张屏英 章定康 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子系，西安交通大学电子系，骊山微电子学研究所 710049，710049 |
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| 摘 要： | 工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采用等沟道长度单元MOSFET串联和交叉布局的平衡结构,保证工艺一致.由此制得了线性好、动态范围宽、可调范围大的兆欧级有源电阻.
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| 关 键 词： | 模拟集成电路 栅控 电阻 |
The MOSFET Gate Controlled Resistor in Intergrated Circuit |
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| Zhang Pingying,Lei Junzhao.The MOSFET Gate Controlled Resistor in Intergrated Circuit[J].Microelectronics & Computer,1993(4):36-38. |
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| Authors: | Zhang Pingying Lei Junzhao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gate controlled Active resistor Lincarty |
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