基于激光诱导击穿光谱的绝缘子表面污秽研究 |
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作者姓名: | 周志成 高嵩 李院生 张血琴 张龙 马欢 梁伟 郭裕钧 |
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作者单位: | 江苏省电力试验研究院有限公司,江苏南京,211103;西南交通大学电气工程学院,四川成都,610756 |
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基金项目: | 江苏省电力试验研究院有限公司科技项目 |
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摘 要: | 采用激光诱导击穿光谱(LIBS)对人工涂污绝缘片和自然积污绝缘片表面污秽的元素进行非接触式测量和分析,分别取Na、Al两种元素的谱线强度表征盐密和灰密对绝缘子表面污秽进行半定量分析。结果表明:LIBS能对人工涂污绝缘片污秽和自然积污绝缘片污秽的主要元素进行准确定性分析。对于人工涂污绝缘片污秽,当盐密增加2.5倍且灰密不变时,Na、Al两种元素的谱线强度分别增加了327.57%和16.0%;对于两种自然积污绝缘片污秽,重度污染绝缘片污秽中Na、Al两种元素的谱线强度相比轻度污染绝缘片分别增加了541.5%和97.8%。
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关 键 词: | 绝缘子污秽 元素分析 激光诱导击穿光谱 |
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