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| 半导体超晶格微结构中的多能谷效应（2） | |
| 引用本文： | 薛舫时.半导体超晶格微结构中的多能谷效应（2）[J].半导体杂志,1995,20(2):25-33. |
| 作者姓名： | 薛舫时 |
| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室，南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 半导体超晶格微结构中的多能谷效应（２）薛舫时（半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所２１００１６）六、异质谷间转移电子效应和Ｘ电子发生器ＧａＡＳ是直接带隙材料，它的导带底位于布里渊区中心Γ点。而ＡｌＡｓ是间接带隙材料，导带底位于布里渊区边缘Ｘ... |
| 关 键 词： | 半导体超晶格 多能谷效应 微结构 |
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