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低功耗有源UHF-RFID标签芯片
引用本文:罗世钦,孙玲玲,洪慧,章少杰.低功耗有源UHF-RFID标签芯片[J].电子器件,2009,32(6):1031-1034.
作者姓名:罗世钦  孙玲玲  洪慧  章少杰
作者单位:杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018
基金项目:浙江省重大科技项目资助 
摘    要:采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的超高频有源RFID标签芯片射频接收前端电路.其中,低噪声放大器(LNA)采用共源共栅源极电感负反馈差分结构,下变频混频器(Mixer)采用吉尔伯特(Gilbert)有源双平衡结构.通过整体及模块电路优化,该电路在较低功耗下仍然具有较好性能.仿真结果表明,整个接收端功耗仅为14 mW,与传统射频前端芯片相比,功耗降低53%;整体增益为21.6 dB,噪声系数7.1 dB,三阶输入截止点-18.9 dBm,满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需求.

关 键 词:超高频  有源射频识别  低噪声放大器  混频器  接收前端

Design of a low power RF front-end for active UHF-RFID tag IC
LUO Shiqin,SUN Lingling,HONG Hui,ZHANG Shaojie.Design of a low power RF front-end for active UHF-RFID tag IC[J].Journal of Electron Devices,2009,32(6):1031-1034.
Authors:LUO Shiqin  SUN Lingling  HONG Hui  ZHANG Shaojie
Affiliation:LUO Shiqin,SUN Lingling*,HONG Hui,ZHANG ShaojieKey Lab.of RF Circuit and System,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China
Abstract:
Keywords:ultra high frequency(UHF)  active radio frequency identification(RFID)  low noise amplifier  mixer  receiver front-end  
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