|
|||||
|
|
| MgF_2:Ni~(2 )的晶场能级和光学吸收强度 | |
| 引用本文： | 张冰,祝继康,刘颂豪.MgF_2:Ni~(2 )的晶场能级和光学吸收强度[J].量子电子学报,1985(1). |
| 作者姓名： | 张冰 祝继康 刘颂豪 |
| 作者单位： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 (张冰，祝继康)，中国科学院安徽光学精密机械研究所(刘颂豪) |
| 摘 要： | 本文使用自旋极化的SCF-Xa-SW方法计算了具有低对称晶场D_(2h)的络合物(NiF_6)~(4-)的电子结构,给出了激光单晶M_gF_2:Ni~(2 )的分子轨道和单电子能级。我们计算的10D_q比前人在高对称群O_h下计算的10D_q与实验符合好得多。并且求出了低对称晶场下~3T_(2g)和~3T_(1g)能级的分裂值。然后利用Karplus电荷分配法,首次报导了磁偶极跃迁强度的X_a计算。并且求出了基态到~2T_(2g)子能级的磁偶极跃迁强度,估算了基态到,~3T_(1g)子能级的电子—振动跃迁强度。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |