| 双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究 |
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| 引用本文： | 吴召平,曹立辉,张干城.双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究[J].无机材料学报,1992(4). |
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| 作者姓名： | 吴召平 曹立辉 张干城 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所
(吴召平，曹立辉)，中国科学院上海硅酸盐研究所(张干城) |
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| 摘 要： | 本文研究由氮(N)、硼(B)以及卤素(X)元素掺杂的 a-Si∶H 膜在静电场下的光电特性.实验结果表明,(B+N)、(B+X)双元素掺杂比单元素更明显地提高 a-Si∶H 膜的表面电位 V_(?),降低残余电位V_R,并在 X/Si=10~(-2),B_2H_6/SiH_4=0.3×10~(-4)时,得到了 V_(?)=60V/μm,σ_D=10~(-4)((?)cm)~(-1)的静电复印用a-Si∶H 材料.
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| 关 键 词： | 非晶硅 掺杂剂 静电复印 残余电压 |
The Optoelectrical Properties of Double Doped a-Si:H |
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| Wu Zhaoping Cao Lihui Zhang Gancheng.The Optoelectrical Properties of Double Doped a-Si:H[J].Journal of Inorganic Materials,1992(4). |
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| Authors: | Wu Zhaoping Cao Lihui Zhang Gancheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si:H Dopant Xerography Residual voltage |
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