| GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析 |
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| 引用本文： | 盛怀茂,王嘉宽,高启安,夏冠群,赵建龙.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析[J].半导体技术,1999,24(5):26-29. |
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| 作者姓名： | 盛怀茂 王嘉宽 高启安 夏冠群 赵建龙 |
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| 作者单位： | 1. 合肥工业大学应用物理系,合肥,230009
2. 中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件实验室,上海,200050 |
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| 摘 要： | 分析了第一激发态在势垒以上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声，讨论了它们对探测器性能的影响。
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| 关 键 词： | 噪声特性 暗电流噪声 临界电场 |
| 修稿时间： | 19981112 |
Analysis of Noise Properties on GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors |
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| Sheng Huaimao,Wang Jiakuan,Gao Qian,Xia Guanqun,Zhao Jianlong.Analysis of Noise Properties on GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors[J].Semiconductor Technology,1999,24(5):26-29. |
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| Authors: | Sheng Huaimao Wang Jiakuan Gao Qian Xia Guanqun Zhao Jianlong |
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| Abstract: | Several kinds of basic noise are analyzed in the GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors(QWIP)with the first excited state above the barriers.The effects of the noise on the performance of the QWIP are also discussed. |
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| Keywords: | Noise Darkcurrent noise Critical field |
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