| 直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜 |
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| 引用本文： | 姜宏伟,王军,高福毅,陈奇,陈玉强,彭鸿雁.直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜[J].真空,2010,47(5). |
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| 作者姓名： | 姜宏伟 王军 高福毅 陈奇 陈玉强 彭鸿雁 |
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| 作者单位： | 牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室,黑龙江,牡丹江,157012 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅2009科学技术研究面上项目，2008年黑龙江省研究生创新科研项目 |
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| 摘 要： | 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长的影响。采用拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对样品进行了表征,结果表明,直流热阴极PCVD系统中,CH4:N2:H2气氛下,N2流量小于气体总流量的50%时,在6×103 Pa、850℃条件下,制备的金刚石膜样品的晶粒小于100nm、金刚石1332 cm-1特征峰展宽且强度较高、金刚石的XRD衍射峰强度也较高,具备纳米金刚石膜的基本特征。因此,利用直流热阴极PCVD方法,在较低温度和气压下,CH4:H2中加入少量N2,可以制备出纳米金刚石膜。
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| 关 键 词： | 直流热阴极 纳米金刚石膜 |
Preparation of nanocrystalline diamond films in CH4:N2:H2 atmosphere by DC hot-cathode PCVD process |
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| JIANG Hong-wei,WANG Jun,GAO Fu-yi,CHEN Qi,CHEN Yu-qiang,PENG Hong-yan.Preparation of nanocrystalline diamond films in CH4:N2:H2 atmosphere by DC hot-cathode PCVD process[J].Vacuum,2010,47(5). |
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| Authors: | JIANG Hong-wei WANG Jun GAO Fu-yi CHEN Qi CHEN Yu-qiang PENG Hong-yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PCVD |
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