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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
1/f噪声源及MOS器件中的1/f噪声
作者姓名:
文俊 张安康
作者单位:
中国华晶电子集团公司,东南大学
摘 要:
1/f噪声,由于其反映了器件的质量、可靠性等参数,其研究越来越为人们所重视,本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:载流子数涨落和迁移率涨落模型,最后将研究MOS晶体管中1/f噪声的现象。在n管中,较为成功地用ΔN模型;而在PMOS晶体管中,Δμ模型可较为成功地解释其1/f噪声特性。
关 键 词:
1/f噪声源 MOS器件 1/f噪声
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