非晶硅p-i-n电池中空穴的收集长度

测量p-i-n电池单色光的光生电流随外电压的变化,可得出空穴的收集长度。空穴的μτ乘积在3×10~(-9)—1×10~(-8)cm~2/V,空穴收集长度和电池的填充因子有对应关系。由收集长度随外电压的变化可解释电池的收集效率随外电压的变化,只有FF很差的p-i-n电池,偏置光强才影响光生载流子的收集。一般的p-i-n电池,在不加偏置光条件下测得的收集效率反映AM1光强下的情况,这使p-i-n电池的测试更加简单。