| IBED和Sol-gel制备方法对二氧化钒薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 袁宁一,李金华,李格. IBED和Sol-gel制备方法对二氧化钒薄膜性能的影响[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2003, 8(5): 88-89,92 |
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| 作者姓名： | 袁宁一 李金华 李格 |
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| 作者单位： | 1. 江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
2. 江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(10175027) |
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| 摘 要： | 采用离子束增强沉积(IBED)法和溶胶-凝胶法(Sd-ged)在SiO2/Si衬底上制备了具有半导体相-金属相转换特性的二氧化钒薄膜．对两种方法制备薄膜的性能测试结果表明，其转换温度、相变滞豫、热电阻温度系数等都有较大差别．
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| 关 键 词： | 离子束增强沉积 溶胶-凝胶法 二氧化钒薄膜 光学薄膜 电阻 应力 半导体相 金属相 |
| 文章编号： | 1007-2683(2003)05-0088-02 |
Effect of IBED and Sol-gel Methods on Electrical Properties of VO2 Thin Films |
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| YUAN Ning-yi,LI Jin-hua,LI Ge. Effect of IBED and Sol-gel Methods on Electrical Properties of VO2 Thin Films[J]. Journal of Harbin University of Science and Technology, 2003, 8(5): 88-89,92 |
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| Authors: | YUAN Ning-yi LI Jin-hua LI Ge |
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| Abstract: | VO2 thin films with semiconductor-to-metal phase transition property were prepared by IBED and Sol-gel methods on SiO2/Si substrate. The test results indicate that there is significant difference between transition temperature, hysteresis width and temperature coefficient of resistance of the films prepared by the two methods. |
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| Keywords: | VO2 thin films IBED method Sol-gel method |
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