|
|||||
|
|
| FeMnSi系形状记忆合金的∈M马氏体相变研究 | |
| 引用本文： | 林成新,葛艳玲,谷南驹,刘庆锁.FeMnSi系形状记忆合金的∈M马氏体相变研究[J].钢铁研究学报,2000(1). |
| 作者姓名： | 林成新 葛艳玲 谷南驹 刘庆锁 |
| 作者单位： | 河北工业大学材料科学与工程学院!天津300130(林成新，葛艳玲，谷南驹)，天津理工学院材料科学与工程系!天津300381(刘庆锁) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 ( 5 980 10 0 5 ) |
| 摘 要： | 用透射电镜和高分辨率电镜研究了Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金的应力诱发εM形态。生长初期εM为厚约20nm的薄片,它在长度方向上是不连续的,间断区为各生长单元的前沿区。生长初期的εM薄片在交叉时可利用本身的间断区而相互贯穿,且不留下交互作用痕迹,由εM薄片合并成宽大的εM。这种结构特点决定了宽大的εM薄片交互作用的复杂性。 |
| 关 键 词： | 马氏体相变 应力诱发 间断区 交互作用 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |